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半加成工艺与异构集成
发布时间:2022-06-28 23:07:44 来源:bob综合体育下载
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  半加成工艺(Semi-Additive Processes,简称SAP)并非新工艺,早在1978年被称为“HDI之父”的Happy Holden就曾运用过此类技能。从2000年到2010年,Karl Dietz也曾多次撰写了关于SAP的文章,其在2010年的专栏文章供给了关于铜厚度、抗蚀剂厚度和工艺分辨率之间联系

  传统的mSAP工艺运用半盎司铜箔或超薄铜箔,其厚度为5~9μm,且一般会运用铜闪蚀,并运用镀锡作为抗蚀剂

  这项前沿的技能一般运用于倒装芯片的IC载板,但是在2005年后,这项技能很快就日本ABF膜(Ajinomoto Build-up Film)所代替。ABF是在裸蚀刻真空层压介质膜上进行加成化学镀膜

  而Averatek的新式A-SAP™️则从层压板上通过处理的铜箔开端,但层压板经钻孔后,铜箔就会被蚀刻损坏。而新一代纳米颗粒Liquid-Metal Ink™️催化剂用于制备细晶粒化学镀铜外表可有用处理此类问题。在电镀和剥离抗蚀剂后,这种通过纳米催化的化学镀铜厚度只要0.7~1.2μm,能够在没有抗蚀剂的状况下闪蚀

  选用改进过的新式催化剂和化学镀铜产品后,各种SAP工艺才能的比照在下表中有所展现,包含用于倒装芯片和IC封装载板ABF工艺的SAP和图形电镀

  下图所展现的是2019年IEEE异构开展路线图,跟着器材距离和SAP工艺技能的开展,线宽/线距也相同正在不断的减小

  职业通过不断的开展,直接金属化工艺替代了化学镀铜,这种工艺的呈现使得mSAP、amSAP更为简略、且本钱更低。直接金属化工艺中0.2~0.3μm的铜蚀刻,能够有用消除铜外表的碳

  直接金属化工艺相较于化学镀铜更简单操控,还具有工序少的优势,所需工序仅为化学镀铜工艺二分之一,而且环保

  半导体晶体管不断缩小就会造成了这样一种状况:大且杂乱的晶片被分解成更小的晶片,并将这些“模块化”名为Chiplet的小芯片结合起来,被称为“异构集成”,这种“体系级封装”本钱更低,选用超细线宽/线距、超小通孔、细小的独立元件

  在异构集成设计时,需求平衡走线几许结构以及超HDI技能的内层间损耗。VeCS立异技能能运用更少的空间为恣意内层供给垂直走线、易于电镀和削减电寄生等优势

  上图为异构集成的介质厚度和线宽线距形状之间的权衡是PCBIC基板、超HDIWLP/PLP 和晶圆中介板后道工艺(back-end ofthe line,简称BEOL)的堆叠技能

  现在,电子产品封装能到达5微米线年,线微米以下,但YOLE Development对到2030年时电子产品封装远景的猜测不确定,但能够信任未来半加成工艺和异构集成会得到更好的开展回来搜狐,检查更多